STT-MRAM制造技術解析
2018-03-09 11:25:56
在典型的STT-MRAM整合工藝中，MTJ夾在兩個金屬層之間所以需要兩個額外掩膜。而早期的工藝依賴為硬盤驅動器(HDD)工業設計的工具，近年來，半導體制造行業內的大型設備工具廠商一直在開發300mm晶圓生產所需的關鍵的沉積和蝕刻工具。因此，現在以40nm以下工藝制造大容量300mm STT-MRAM晶圓的生態系統業已就位。
STT-MRAM的一個關鍵特殊是它使用標準的CMOS晶體管，而且MTJ處理是在生產線后端(BEOL)完成的。這使得制造過程是無縫的，因此同時適用于離散式和嵌入式兩種應用的大容量、低成本生產。
應用
作為一種獨立的存儲器件，基于其更高速度、更低延遲、可擴展性和無限使用壽命等特性，STT-MRAM被用于取代SRAM、DRAM和NOR閃存。STT-MRAM不像DRAM那樣需要功率刷新，且其讀出過程是不破壞之前已存儲數據的。在系統級，這些特性提供了顯著的功耗優勢及更低延遲。
當今，許多的SoC、CPU和GPU內，50%至80%的芯片面積被存儲器占用。這種嵌入式存儲器大多傾向于使用四或六個晶體管的SRAM。與其相比，STT-MRAM使用一個晶體管。為節省芯片空間，最新的CPU也在整合進e-DRAM，雖然其工藝實現會十分困難。因STT-MRAM可采用標準CMOS實現，所以可輕松實施整合，因此非常適合這類應用。
STT-MRAM大大減小了芯片尺寸，同時提供了接近邏輯處理速度的高速NVM。可以預期，該技術可提供更低成本、更快啟動時間、以及一系列新功能，因此非常適用于移動和存儲設備應用。
企業存儲是基于pMTJ的STT-MRAM的主要應用場合。存儲陣列和數據中心正處于從舊的傳統硬盤驅動器系統到基于全硅(固態硬盤，SSD)的閃存系統的巨大變革中。同時，軟件定義數據中心、網絡和存儲在與虛擬化結合起來，在未來幾年，將繼續使整個數據存儲領域脫胎換骨。
深圳市英尚微電子有限公司是一家專業的靜態隨機記憶體產品及方案提供商，十年來專業致力代理分銷存儲芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價比更高的產品及方案。
英尚微電子中國區指定的授權代理：VTI、NETSOL、JSC濟州半導體(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC； 著名半導體品牌的專業分銷商 如：RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。
?更多資訊關注SRAMSUN. m.29476.cn 0755-66658299
