微芯Microchip存儲芯片芯片23LCV512是一款容量為512Kbit串行SRAM器件。位寬64Kx8位組織，存儲器通過簡單的串行外設接口(SPI)兼容串行總線訪問。如果應用需要更快的數(shù)據(jù)速率，則支持SDI（串行雙接口）。SRAM可以通過Vbat引腳由電池供電，從而使SRAM成為非易失性。該器件還支持對陣列的無限讀寫周期。支持的溫度范圍-40℃至+85℃。23LCV512采用標準封裝，包括8引腳SOIC、PDIP和高級8引腳TSSOP。
 
國產(chǎn)偉凌創(chuàng)芯（EMI）SRAM芯片SCLPSRAC1可替代微芯23LCV512存儲器。
 
偉凌創(chuàng)芯SCLPSRAC1是一款SPI SRAM靜態(tài)存儲芯片，存儲器容量大小為512Kbit。它在內部組織為64K字，每個字8位。該器件采用最先進的CMOS技術設計和制造，以提供高速性能和低功耗。
 
SCLPSRAC1工作溫度范圍：-40℃~+85℃，電源電壓范圍2.7V~3.6V，工作電流最大2mA@1MHz，待機電流最大15µA@25℃，具備SPI兼容接口，最大時鐘頻率20MHz。我司英尚微電子作為偉凌創(chuàng)芯EMI總代理商，可提供樣品測試及產(chǎn)品相關技術支持。
 
串行SRAM是一種獨立的易失性存儲器，它為您提供了一種簡單且廉價的方式來為您的應用程序添加更多ram。這些8引腳低功耗、高性能SRAM器件具有無限的耐用性和零寫入時間，使其成為涉及連續(xù)數(shù)據(jù)傳輸、緩沖、數(shù)據(jù)記錄、音頻、視頻、互聯(lián)網(wǎng)、圖形和其他數(shù)學和數(shù)據(jù)密集型應用的理想選擇功能。


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