Everspin MRAM芯片

一款非易失性的磁性存儲器,

MR0D08B和MR0A16A為1,048,576位磁阻隨機存取存儲器 (MRAM)。Everspin MRAM支持雙電源、串行SPI等各種規(guī)范，并有131,072字 x 8位或65,536字 x 16位兩種構(gòu)成方式。此系列MRAM擁有35ns或45ns的讀/寫周期（無寫入延遲），以及出色的耐讀/寫能力。 

商業(yè)，工業(yè)和擴展的工作溫度。
提供AEC-Q100 1級合格選項。
35ns讀/寫速度，無限耐力。
數(shù)據(jù)不揮發(fā)，保留20年。
斷電時保留數(shù)據(jù)。
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的封裝

系列型號如下：

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